¿Qué es el dopaje de un semiconductor?

Un posibilidad de hacer conducir a un cristal de silicio intrínseco es agregando átomos de impurezas, a esto se le llama dopaje de un semiconductor.

Primera posibilidad.- Añadir átomos pentavalentes  como el arsénico, antimonio o fósforo. Tal como se observa en la figura, el átomo pentavalente esta en el centro, rodeado de átomos de silicio, este átomo debería tener 5 electrones, pero comparte 4 y uno queda libre. Mediante esta modalidad se puede aumentar el número de electrones libres.

Segunda posibilidad.- Añadir átomos trivalentes como el aluminio, boro o galio. Observando en la figura, el átomo trivalente esta en el centro. Como tiene 4 átomos de silicio a su alrededor, solamente puede compartir 3 átomos de valencia y con el cuarto un hueco.

Para fabricar estos dispositivos inicialmente se usaba el germanio, pero como no resultó muy eficiente, se perfeccionó el dopado de cristales de silicio, con este se consiguió darle todas las aplicaciones en electrónica que ahora ya conocemos.

Ir al Indice