¿Qué es el diodo No Polarizado?

Un semiconductor de cristal tipo N ó tipo P trabajando aisladamente funcionan como una resistencia. Pero al unirlos sucede algo muy sorprendente de lo cual se basa todo el desarrollo de la tecnología electrónica en la fabricación de diodos, transistores, circuitos integrados, chips y otros.

Tal como podemos observar:

a.-  La región tipo P contiene un exceso de impurezas trivalentes por lo que tiene un exceso de huecos…  por cada átomo trivalente existe un hueco.

b.- La región tipo N contiene un exceso de impurezas pentavalentes por lo que tiene un exceso de electrones… por cada átomo pentavalente existe un electrón.

Al unir estas dos regiones, en la frontera de la unión PN sucede lo siguiente:

a.- Los electrones libres que estaban en la frontera de la región N  atraviesan a la región P, al pasar caen en un hueco y crean un ión negativo porque ahora el átomo tiene un electrón mas.

b.- Al salir un electrón de la región N pierde un electrón y queda un hueco. Además al perder un electrón el átomo se convierte en un ion positivo.

En esta zona de frontera le vamos a llamar DIPOLO a la unión de un ion negativo con uno positivo. A esta región fronteriza donde se encuentran los dipolos se llama ZONA DE DEPLEXION.

Los dipolos generan un campo eléctrico y dejan de permitir que los electrones atraviesen de la región N a la región P. A este campo eléctrico se le considera como una barrera de potencial o diferencia de potencial que para el germanio es de 0.3 Voltios y para el silicio es de 0.7 Voltios.

¿Qué son los semiconductores extrínsecos?

Un semiconductor se puede dopar para conseguir que tenga un exceso de electrones o un exceso de huecos, según esta disposición existen dos tipos de semiconductores:

SEMICONDUCTORES TIPO N.-  El silicio ha sido dopado con impurezas pentavalentes y se consigue un exceso de electrones, por este motivo se le llama tipo N.

Al aplicar una tensión los electrones se desplazan a la izquierda y los huecos a la derecha. Cuando un hueco llega al extremo derecho se re-combina con un electrón de la batería. Mientras que para el lado izquierdo, una gran cantidad de electrones pasan al conductor para dirigirse al positivo de la batería.

 

SEMICONDUCTORES TIPO P.- El silicio ha sido dopado con impurezas trivalentes y se consigue un exceso de huecos, por este motivo se le llama tipo P.

Al aplicar una tensión los electrones se desplazan a la izquierda y los huecos a la derecha. Una gran cantidad de huecos llega al extremos derecho, estos se re-combinan con los electrones que vienen de la batería. Para el lado izquierdo, la poca cantidad de electrones se dirige el polo positivo de la batería.