Antes de convertir debemos saber que:
1 Watt = 0.001 KiloWatts
Para 4749 Watts tenemos que multiplicar por 4749 a los dos miembros:
(1 Watts)(4749) = (0.001 kW)(4749)
Nos resultará:
4749 Watts = 4.749 kW
Para convertirlo a unidades de energía eléctrica en kW.h tenemos que considerar un tiempo en horas, lo haremos según la tabla adjunta:
| Potencia eléctrica | Tiempo | Consumo de energía eléctrica |
| 4.749 kW | 1 hora | 4.749 kW.h |
| 4.749 kW | 2 horas | 9.498 kW.h |
| 4.749 kW | 3 horas | 14.247 kW.h |
| 4.749 kW | 4 horas | 18.996 kW.h |
| 4.749 kW | 5 horas | 23.745 kW.h |
| 4.749 kW | 6 horas | 28.494 kW.h |
| 4.749 kW | 7 horas | 33.243 kW.h |
| 4.749 kW | 8 horas | 37.992 kW.h |
| 4.749 kW | 9 horas | 42.741 kW.h |
| 4.749 kW | 10 horas | 47.49 kW.h |
| 4.749 kW | 11 horas | 52.239 kW.h |
| 4.749 kW | 12 horas | 56.988 kW.h |
| 4.749 kW | 13 horas | 61.737 kW.h |
| 4.749 kW | 14 horas | 66.486 kW.h |
| 4.749 kW | 15 horas | 71.235 kW.h |
| 4.749 kW | 16 horas | 75.984 kW.h |
| 4.749 kW | 17 horas | 80.733 kW.h |
| 4.749 kW | 18 horas | 85.482 kW.h |
| 4.749 kW | 19 horas | 90.231 kW.h |
| 4.749 kW | 20 horas | 94.98 kW.h |
| 4.749 kW | 21 horas | 99.729 kW.h |
| 4.749 kW | 22 horas | 104.478 kW.h |
| 4.749 kW | 23 horas | 109.227 kW.h |
| 4.749 kW | 24 horas | 113.976 kW.h |
| 4.749 kW | 2 días | 227.952 kW.h |
| 4.749 kW | 3 días | 341.928 kW.h |
| 4.749 kW | 4 días | 455.904 kW.h |
| 4.749 kW | 5 días | 569.88 kW.h |
| 4.749 kW | 6 días | 683.856 kW.h |
| 4.749 kW | 7 días | 797.832 kW.h |
| 4.749 kW | 2 semanas | 1595.664 kW.h |
| 4.749 kW | 3 semanas | 2393.496 kW.h |
| 4.749 kW | 4 semanas | 3191.328 kW.h |
| 4.749 kW | 1 mes(30 días) | 3419.28 kW.h |
En el contexto de los transistores, un transistor de canal P es un tipo de transistor de efecto de campo (FET) que utiliza un material semiconductor tipo P como su canal de conducción principal. Los transistores de canal P son una de las dos variantes básicas de los transistores FET, siendo la otra variante los transistores de canal N. Los transistores FET son dispositivos electrónicos que controlan el flujo de corriente entre dos regiones de un material semiconductor mediante un campo eléctrico aplicado a una puerta cercana.
Aquí tienes una descripción detallada de un transistor de canal P:
Estructura básica: Un transistor de canal P está compuesto por tres terminales principales: la fuente (S), la compuerta (G) y el drenaje (D). Estos tres terminales están conectados a diferentes regiones del material semiconductor tipo P.
Material semiconductor tipo P: En un transistor de canal P, el canal de conducción principal está formado por un material semiconductor tipo P. En este tipo de material, los portadores de carga predominantes son huecos (deficiencias de electrones), que se consideran como "cargas positivas". El canal de conducción permite que los huecos se muevan entre la fuente y el drenaje bajo la influencia de un campo eléctrico.
Operación del canal P: Cuando se aplica un voltaje negativo a la compuerta en relación con la fuente, se forma una región de agotamiento entre el canal tipo P y la compuerta. Esto crea una barrera para que los huecos se muevan entre la fuente y el drenaje. A medida que el voltaje de la compuerta se vuelve más negativo, la región de agotamiento se ensancha, lo que limita aún más el flujo de huecos.
Conducción: Cuando el voltaje de la compuerta es lo suficientemente negativo, la región de agotamiento se extiende a través de todo el canal P, y la conducción entre la fuente y el drenaje se corta casi por completo. Este estado se llama "corte" o "apagado", y el transistor está en su estado no conductivo.
Apagado a encendido: Al aplicar un voltaje positivo a la compuerta en relación con la fuente, se crea un campo eléctrico que reduce la región de agotamiento y permite que los huecos fluyan desde la fuente hacia el drenaje. A medida que el voltaje de la compuerta se hace más positivo, el canal P se "abre" cada vez más, permitiendo un mayor flujo de huecos.
Aplicaciones: Los transistores de canal P se utilizan en diversas aplicaciones, incluyendo circuitos integrados, amplificadores y conmutadores en la electrónica digital y analógica. También se encuentran en circuitos de amplificación de señales y en la construcción de dispositivos lógicos.
En resumen, un transistor de canal P es un dispositivo FET que utiliza un material semiconductor tipo P como su canal de conducción principal. Controla el flujo de corriente entre su fuente y drenaje mediante un campo eléctrico aplicado a su compuerta. Los transistores de canal P son fundamentales en la electrónica moderna debido a su capacidad para amplificar y conmutar señales de manera eficiente.
Si tes gustó este sitio web puedes participar haciendo una donación voluntaria, la cual contribuirá a crecer como comunidad de Electrónicos.
o también puedes usar el código QR:
Recomendados: