CELDAS FOTOCONDUCTIVAS
La celda fotoconductiva es un dispositivo semiconductor de dos terminales cuya resistencia terminal variará (linealmente) con la intensidad de la luz incidente. Por razones obvias, con frecuencia se llama dispositivo fotorresistivo.

Entre los materiales fotoconductivos que se utilizan más a menudo se encuentran el sulfuro de cadmio (CdS) y el selenuro de cadmio (CdSe). La respuesta espectral máxima del CdS ocurre a aproximadamente 5100 Å y para el CdSe de 6150 Å. El tiempo de respuesta de las unidades de CdS es de alrededor de 100 mS y de 10 mS para las celdas de CdSe. La celda fotoconductiva no tiene una unión como la del fotodiodo. Una capa delgada de material conectada entre los terminales simplemente se expone a la energía luminosa incidente.

Cuando aumenta la intensidad de la iluminación sobre el dispositivo, se incrementa también el estado de energía de un gran número de electrones en la estructura debido al aumento de disponibilidad de los paquetes de fotones de energía. El resultado es un número mayor de electrones relativamente “libres” en la estructura y una disminución de la resistencia del terminal. La curva de sensibilidad para un dispositivo fotoconductivo típico aparece en la Fig. 2. Nótese de la linealidad (cuando se grafica empleando una escala log–log) para el cambio indicado de iluminación.
CELDAS SOLARES

La construcción básica de una celda solar de unión p-n de silicio se presenta en la Fig. 3. Como se muestra en vista superior, se hace todo tipo de esfuerzos para asegurar que el área superficial perpendicular al sol sea máxima. Además nótese que la capa metálica conectada al material tipo p y el grosor de este mismo son tales que aseguran que un número máximo de fotones de energía luminosa alcancen la unión. Un fotón de energía luminosa en esta región puede chocar con un electrón de valencia e impartir suficiente energía para que abandone el átomo padre. El resultado es una generación de electrones libres y huecos. Este fenómeno ocurrirá a cada lado de la unión. En el material tipo p los nuevos electrones generados son portadores minoritarios y se moverán con bastante libertad a través de la unión, como en el caso de la unión p-n básica sin polarización aplicada. Un argumento similar se cumple para los huecos generados en el material tipo n. El resultado es un aumento en el flujo de portadores minoritarios, cuya dirección es opuesta a la de la corriente directa convencional de una unión p-n.
El selenio y el silicio son los materiales que más se usan en las celdas solares, aunque también se emplean, entre otros, el arseniuro de galio, el arseniuro de indio y el sulfuro de cadmio. La longitud de onda incidente afectará la respuesta de la unión p-n ante los fotones incidentes.
A.- CON LA FOTORESISTENCIA
Para cada distancia se mide el valor de la resistencia en el multitester y estos valores se apuntan en la tabla siguiente:
| Distancia en c.m | Resistencia en Ohmios |
| 85 | 2200 |
| 80 | 2000 |
| 75 | 1500 |
| 70 | 1300 |
| 65 | 1250 |
| 60 | 1200 |
| 55 | 1100 |
| 50 | 900 |
| 45 | 800 |
| 40 | 650 |
| 35 | 550 |
| 30 | 480 |
| 25 | 350 |
| 20 | 320 |
B.- PARA LA FOTOCELDA
Para cada distancia se mide el valor de la corriente en el multitester y estos valores se apuntan en la tabla siguiente:
| Distancia en c.m | Corriente en mA |
| 85 | 0.3 |
| 80 | 0.4 |
| 75 | 0.5 |
| 70 | 0.7 |
| 65 | 0.8 |
| 60 | 0.9 |
| 55 | 0.95 |
| 50 | 0.98 |
| 45 | 1.4 |
| 40 | 1.5 |
| 35 | 1.7 |
| 30 | 2 |
| 25 | 2.2 |
C.- PARA EL TERMISTOR
Para cada grado 3º C se mide el valor de la resistencia en el multitester y estos valores se apuntan en la tabla siguiente:
| Temperatura en ºC | Resistencia en Ohmios |
| 1 | 245 |
| 4 | 233 |
| 7 | 214 |
| 10 | 190 |
| 13 | 173 |
| 16 | 150 |
| 19 | 137 |
| 22 | 122 |
| 25 | 110 |
| 28 | 98 |
| 31 | 89 |
| 34 | 80 |
Tenemos la Ecuación:

Luego:
ln R = ln A + (B/T)ln e
ln R = ln A + (1/T) (B ln e)
pero si Y = A’ + B’ X;
Resulta que Y = ln R
X = 1/T
| Nº | Temperatura(oC) | Resistencia(Ω) | Xi | Yi | Xi2 | XiYi |
| 1 | 1 | 245 | 1 | 5.501258211 | 1 | 5.501258211 |
| 2 | 4 | 233 | 0.25 | 5.451038454 | 0.0625 | 1.362759613 |
| 3 | 7 | 214 | 0.142857143 | 5.365976015 | 0.020408163 | 0.766568002 |
| 4 | 10 | 190 | 0.1 | 5.247024072 | 0.01 | 0.524702407 |
| 5 | 13 | 173 | 0.076923077 | 5.153291594 | 0.00591716 | 0.396407046 |
| 6 | 16 | 150 | 0.0625 | 5.010635294 | 0.00390625 | 0.313164706 |
| 7 | 19 | 137 | 0.052631579 | 4.919980926 | 0.002770083 | 0.258946365 |
| 8 | 22 | 122 | 0.045454545 | 4.804021045 | 0.002066116 | 0.218364593 |
| 9 | 25 | 110 | 0.04 | 4.700480366 | 0.0016 | 0.188019215 |
| 10 | 28 | 98 | 0.035714286 | 4.584967479 | 0.00127551 | 0.163748839 |
| 11 | 31 | 89 | 0.032258065 | 4.48863637 | 0.001040583 | 0.144794722 |
| 12 | 34 | 80 | 0.029411765 | 4.382026635 | 0.000865052 | 0.128883136 |
| Σ | 1.8677505 | 59.609336 | 1.1123489 | 9.9676169 |
El valor de A’ esta dado por:

Reemplazando resulta:
A’ = 4.837
El valor de B’ esta dado por:

Reemplazando resulta:
B’ = 0.839

Φ = 9.859
Entonces :
Y = 4.837 + 0.839 X
A’ = ln A
A = e A’
A = e4.837
A = 126
B’= B ln e
B = B’/lne
B = 0.839/1
B = 0.839
En electrónica, una "capa de empobrecimiento" se refiere a una región de un material semiconductor que ha experimentado una disminución en la densidad de portadores de carga, ya sea electrones o huecos. Esta disminución de portadores de carga es el resultado de la formación de una unión p-n, una interfaz entre dos regiones semiconductoras con diferentes tipos de conducción (tipo p y tipo n). La capa de empobrecimiento es una región donde los electrones y los huecos se han recombinado, lo que resulta en una región prácticamente desprovista de portadores de carga y, por lo tanto, con propiedades eléctricas distintas.
A continuación, se presenta una descripción más detallada de lo que es una capa de empobrecimiento y cómo se forma:
Formación de la unión p-n: Una unión p-n se forma cuando se une un material semiconductor tipo p (donde la mayoría de los portadores de carga son huecos) con un material semiconductor tipo n (donde la mayoría de los portadores de carga son electrones). Cuando estos dos materiales se juntan, los electrones y los huecos comienzan a difundirse hacia la región opuesta, buscando igualar las concentraciones de carga.
Recombinación: A medida que los electrones se difunden desde la región n hacia la región p y los huecos se difunden desde la región p hacia la región n, tienden a recombinarse. La recombinación es el proceso mediante el cual los electrones y los huecos colisionan y se neutralizan mutuamente, liberando energía en forma de calor o luz.
Creación de la capa de empobrecimiento: La recombinación continua de electrones y huecos en la región cercana a la unión p-n conduce a una disminución en la densidad de portadores de carga en esa área. Esta región con baja concentración de portadores de carga se conoce como la capa de empobrecimiento.
Propiedades eléctricas: La capa de empobrecimiento actúa como una barrera eléctrica natural entre las regiones p y n. Dado que hay pocos portadores de carga en esta capa, presenta una alta resistividad y un comportamiento dieléctrico. Esto resulta en una caída significativa de voltaje a través de la región de empobrecimiento, creando una barrera de potencial llamada "potencial de unión".
Características de la unión p-n: La formación de la capa de empobrecimiento y el potencial de unión son fundamentales para muchas aplicaciones en electrónica, como los diodos y los transistores. La región de empobrecimiento es una parte esencial de cómo los dispositivos semiconductores funcionan y cómo regulan el flujo de corriente en circuitos electrónicos.
En resumen, una capa de empobrecimiento es una región de unión p-n en un material semiconductor donde la recombinación de electrones y huecos ha resultado en una disminución de la densidad de portadores de carga. Esta región tiene propiedades eléctricas únicas y es fundamental para el funcionamiento de dispositivos semiconductores como diodos y transistores.
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