Video del Diodo semiconductor no Polarizado

¿Cuál es el valor típico del potencial de barrera para un diodo de silicio?

Un semiconductor de cristal tipo N ó tipo P trabajando aisladamente funcionan como una resistencia. Pero al unirlos sucede algo muy sorprendente de lo cual se basa todo el desarrollo de la tecnología electrónica en la fabricación de diodos, transistores, circuitos integrados, chips y otros.

Tal como podemos observar:

a.- La región tipo P contiene un exceso de impurezas trivalentes por lo que tiene un exceso de huecos… por cada átomo trivalente existe un hueco.

b.- La región tipo N contiene un exceso de impurezas pentavalentes por lo que tiene un exceso de electrones… por cada átomo pentavalente existe un electrón.

Al unir estas dos regiones, en la frontera de la unión PN sucede lo siguiente:

a.- Los electrones libres que estaban en la frontera de la región N atraviesan a la región P, al pasar caen en un hueco y crean un ión negativo porque ahora el átomo tiene un electrón mas.

b.- Al salir un electrón de la región N pierde un electrón y queda un hueco. Además al perder un electrón el átomo se convierte en un ion positivo.

En esta zona de frontera le vamos a llamar DIPOLO a la unión de un ion negativo con uno positivo. A esta región fronteriza donde se encuentran los dipolos se llama ZONA DE DEPLEXION.

Los dipolos generan un campo eléctrico y dejan de permitir que los electrones atraviesen de la región N a la región P. A este campo eléctrico se le considera como una barrera de potencial o diferencia de potencial que para el germanio es de 0.3 Voltios y para el silicio es de 0.7 Voltios.