Video del Diodo semiconductor no Polarizado
¿Cuál es el valor típico del potencial de barrera para un diodo de silicio?
Un semiconductor de cristal tipo N ó tipo P trabajando aisladamente funcionan como una resistencia. Pero al unirlos sucede algo muy sorprendente de lo cual se basa todo el desarrollo de la tecnología electrónica en la fabricación de diodos, transistores, circuitos integrados, chips y otros.
Tal como podemos observar:
a.- La región tipo P contiene un exceso de impurezas trivalentes por lo que tiene un exceso de huecos… por cada átomo trivalente existe un hueco.
b.- La región tipo N contiene un exceso de impurezas pentavalentes por lo que tiene un exceso de electrones… por cada átomo pentavalente existe un electrón.
Al unir estas dos regiones, en la frontera de la unión PN sucede lo siguiente:
a.- Los electrones libres que estaban en la frontera de la región N atraviesan a la región P, al pasar caen en un hueco y crean un ión negativo porque ahora el átomo tiene un electrón mas.
b.- Al salir un electrón de la región N pierde un electrón y queda un hueco. Además al perder un electrón el átomo se convierte en un ion positivo.
En esta zona de frontera le vamos a llamar DIPOLO a la unión de un ion negativo con uno positivo. A esta región fronteriza donde se encuentran los dipolos se llama ZONA DE DEPLEXION.
Los dipolos generan un campo eléctrico y dejan de permitir que los electrones atraviesen de la región N a la región P. A este campo eléctrico se le considera como una barrera de potencial o diferencia de potencial que para el germanio es de 0.3 Voltios y para el silicio es de 0.7 Voltios.
Diccionario electrónico
¿Qué es la Corriente de recombinación?
La corriente de recombinación es un fenómeno importante en la electrónica, especialmente en dispositivos semiconductores como los diodos y los transistores. Se refiere al flujo de portadores de carga (electrones y huecos) que se recombinan en una región de semiconductor, lo que da como resultado una disminución en la corriente eléctrica que fluye a través del dispositivo. Para entender este fenómeno con más detalle, a continuación, se proporciona una explicación más detallada:
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Portadores de carga en semiconductores: En un material semiconductor, como el silicio o el germanio, hay dos tipos de portadores de carga: electrones con carga negativa (-) y huecos con carga positiva (+). Los electrones son responsables de la corriente eléctrica cuando se mueven desde la región negativa (n) a la positiva (p) en un semiconductor tipo n-p. Los huecos, por otro lado, son espacios donde falta un electrón en la estructura cristalina del semiconductor y se mueven en la dirección opuesta a los electrones.
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Generación de portadores: Cuando se aplica una tensión a través de un dispositivo semiconductor, como un diodo o un transistor, se generan portadores de carga en la región n-p. En un diodo, por ejemplo, los electrones de la región n se mueven hacia la región p y llenan los huecos, creando una corriente de electrones en el proceso.
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Recombinación de portadores: La recombinación ocurre cuando un electrón y un hueco se encuentran y se combinan, liberando energía en forma de calor o luz (en el caso de los diodos emisores de luz, LEDs). Cuando estos portadores se recombinan, desaparecen como portadores de carga activos y ya no contribuyen a la corriente eléctrica en el dispositivo.
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Efectos de la corriente de recombinación: La recombinación reduce la corriente eléctrica efectiva en el dispositivo. Esto significa que parte de la corriente generada inicialmente se pierde debido a la recombinación de portadores, lo que puede afectar el rendimiento y la eficiencia del dispositivo. En algunos casos, como en los LEDs, la recombinación es deseada y se aprovecha para producir luz. En otros dispositivos, como los transistores, puede ser un efecto no deseado que debe ser minimizado.
La corriente de recombinación es el proceso mediante el cual los portadores de carga (electrones y huecos) se combinan y se neutralizan en un semiconductor, lo que resulta en una disminución de la corriente eléctrica en el dispositivo. Este fenómeno es esencial para comprender el funcionamiento de los dispositivos electrónicos y se debe controlar y gestionar adecuadamente en el diseño de circuitos para garantizar un rendimiento óptimo.
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