| Transistor: | 2N5461 |
| Tipo de transistor: | Transistor JFET y del tipo Canal P |
| VCE para transistor / VDS para FET: | 40V |
| IC para transistor / ID para FET: | 9mA |
| Potencia: | 0.31W |
| Frecuencia: |
El efecto Kerr electroóptico es un fenómeno físico en el cual el índice de refracción de un material cambia en respuesta a un campo eléctrico aplicado. Este efecto permite modificar el comportamiento de la luz que pasa a través del material, siendo útil en aplicaciones ópticas y electrónicas.
Este cambio en el índice de refracción es proporcional al cuadrado del campo eléctrico, y ocurre en materiales específicos conocidos como medios birrefringentes o cristales electroópticos. El nombre del efecto proviene del físico John Kerr, quien lo descubrió en el siglo XIX.
El efecto Kerr electroóptico es fundamental en la integración de sistemas ópticos con dispositivos electrónicos, permitiendo el desarrollo de tecnologías como la comunicación por fibra óptica, sensores de alta precisión y dispositivos de control de luz.
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