| Transistor: | 2SD313 |
| Tipo de transistor: | Transistor fabricado con Silicio y del tipo NPN |
| VCE para transistor / VDS para FET: | 60V |
| IC para transistor / ID para FET: | 3A |
| Potencia: | 30W |
| Frecuencia: | 8MHz |
El efecto Hall es un fenómeno físico descubierto por Edwin Hall en 1879, que ocurre cuando un conductor o semiconductor por el que circula una corriente eléctrica es expuesto a un campo magnético perpendicular. Como resultado, se genera una diferencia de potencial eléctrico en dirección transversal a la corriente y al campo magnético.
Cuando una corriente fluye a través de un material conductor y se aplica un campo magnético perpendicular, las cargas eléctricas en movimiento (electrones o huecos) experimentan una fuerza de Lorentz. Esta fuerza desvía las cargas hacia uno de los lados del material, creando un voltaje conocido como voltaje Hall.
El efecto Hall se utiliza en una amplia gama de aplicaciones tecnológicas e industriales gracias a su capacidad para detectar campos magnéticos y medir corrientes eléctricas sin contacto directo.
El efecto Hall es fundamental en la electrónica moderna. Permite desarrollar sensores precisos, confiables y duraderos que funcionan en entornos difíciles, lo cual es esencial en la industria automotriz, la robótica y la electrónica industrial.
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