| Transistor: | 2SJ79 |
| Tipo de transistor: | Transistor JFET y del tipo Canal P |
| VCE para transistor / VDS para FET: | 200V |
| IC para transistor / ID para FET: | 0.5A |
| Potencia: | 30W |
| Frecuencia: |
El efecto Gunn es un fenómeno electrónico descubierto por el físico J.B. Gunn en 1963. Ocurre en ciertos materiales semiconductores, como el arseniuro de galio (GaAs), donde una corriente continua genera oscilaciones de alta frecuencia sin necesidad de un componente resonante externo.
Gracias a su capacidad de generar frecuencias en el rango de microondas, el efecto Gunn se utiliza en diversos dispositivos tecnológicos. Estos son algunos ejemplos:
El efecto Gunn es fundamental en el desarrollo de fuentes de microondas compactas y eficientes. Su descubrimiento impulsó nuevas tecnologías en comunicación y detección, siendo clave para la evolución de sistemas electrónicos modernos.
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