| Transistor: | 2SK381 |
| Tipo de transistor: | Transistor JFET y del tipo Canal N |
| VCE para transistor / VDS para FET: | 50V |
| IC para transistor / ID para FET: | 0.3mA |
| Potencia: | 0.3W |
| Frecuencia: |
El efecto fotoeléctrico es un fenómeno físico que ocurre cuando la luz incide sobre un material y provoca la expulsión de electrones desde su superficie. Este proceso fue explicado por Albert Einstein en 1905, lo que le valió el Premio Nobel de Física en 1921. El efecto fotoeléctrico es fundamental en áreas como la electrónica, la óptica y la energía solar.
El efecto fotoeléctrico tiene múltiples aplicaciones en la tecnología moderna, especialmente en la fabricación de dispositivos electrónicos que convierten la luz en electricidad, como las células solares y los fotodiodos. Además, se utiliza en la medición de luz en aplicaciones científicas y en cámaras fotográficas de alta tecnología.
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