| Transistor: | 2SB1168 |
| Tipo de transistor: | Transistor fabricado con Silicio y del tipo PNP |
| VCE para transistor / VDS para FET: | 120V |
| IC para transistor / ID para FET: | 4A |
| Potencia: | 20W |
| Frecuencia: | 130MHz |
El efecto Schottky es un fenómeno físico que ocurre en la unión entre un metal y un semiconductor, generando una barrera de potencial que afecta el flujo de corriente eléctrica. Este efecto es fundamental en el funcionamiento de dispositivos como los diodos Schottky, ampliamente utilizados en electrónica por su rápida conmutación y baja caída de tensión directa.
El efecto Schottky es crucial para la electrónica moderna, ya que permite el desarrollo de componentes rápidos y eficientes. Su estudio es esencial para comprender el comportamiento de los dispositivos semiconductores y optimizar el diseño de circuitos electrónicos.
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