Transistor: | 2SC2793 |
Tipo de transistor: | Transistor fabricado con Silicio y del tipo NPN |
VCE para transistor / VDS para FET: | 900V |
IC para transistor / ID para FET: | 5A |
Potencia: | 100W |
Frecuencia: |
El prototipo del Walkman fue construido en 1978 por el ingeniero de sonido de división de Nobutoshi Kihara para el co-presidente de Sony, Akio Morita.
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