En electrónica, una "capa de empobrecimiento" se refiere a una región de un material semiconductor que ha experimentado una disminución en la densidad de portadores de carga, ya sea electrones o huecos. Esta disminución de portadores de carga es el resultado de la formación de una unión p-n, una interfaz entre dos regiones semiconductoras con diferentes tipos de conducción (tipo p y tipo n). La capa de empobrecimiento es una región donde los electrones y los huecos se han recombinado, lo que resulta en una región prácticamente desprovista de portadores de carga y, por lo tanto, con propiedades eléctricas distintas.
A continuación, se presenta una descripción más detallada de lo que es una capa de empobrecimiento y cómo se forma:
Formación de la unión p-n: Una unión p-n se forma cuando se une un material semiconductor tipo p (donde la mayoría de los portadores de carga son huecos) con un material semiconductor tipo n (donde la mayoría de los portadores de carga son electrones). Cuando estos dos materiales se juntan, los electrones y los huecos comienzan a difundirse hacia la región opuesta, buscando igualar las concentraciones de carga.
Recombinación: A medida que los electrones se difunden desde la región n hacia la región p y los huecos se difunden desde la región p hacia la región n, tienden a recombinarse. La recombinación es el proceso mediante el cual los electrones y los huecos colisionan y se neutralizan mutuamente, liberando energía en forma de calor o luz.
Creación de la capa de empobrecimiento: La recombinación continua de electrones y huecos en la región cercana a la unión p-n conduce a una disminución en la densidad de portadores de carga en esa área. Esta región con baja concentración de portadores de carga se conoce como la capa de empobrecimiento.
Propiedades eléctricas: La capa de empobrecimiento actúa como una barrera eléctrica natural entre las regiones p y n. Dado que hay pocos portadores de carga en esta capa, presenta una alta resistividad y un comportamiento dieléctrico. Esto resulta en una caída significativa de voltaje a través de la región de empobrecimiento, creando una barrera de potencial llamada "potencial de unión".
Características de la unión p-n: La formación de la capa de empobrecimiento y el potencial de unión son fundamentales para muchas aplicaciones en electrónica, como los diodos y los transistores. La región de empobrecimiento es una parte esencial de cómo los dispositivos semiconductores funcionan y cómo regulan el flujo de corriente en circuitos electrónicos.
En resumen, una capa de empobrecimiento es una región de unión p-n en un material semiconductor donde la recombinación de electrones y huecos ha resultado en una disminución de la densidad de portadores de carga. Esta región tiene propiedades eléctricas únicas y es fundamental para el funcionamiento de dispositivos semiconductores como diodos y transistores.
1.- Cabeza magnética
2.- Cabezal
3.- Cable blindado
4.- Cable coaxial
5.- Cable submarino
7.- Caché
8.- CAD
9.- Cadena
10.- CAE
11.- Caja acústica
13.- Calibración
14.- CAM
15.- Cámara anecoica
16.- Cámara de televisión
17.- Cámara Reverberante
18.- Campo
19.- Campo cercano
20.- Campo de radiación
21.- Campo eléctrico
23.- Campo libre
24.- Campo magnético
25.- Campo magnético de la tierra
27.- Canal
28.- Canal de audio
29.- Canal de luminancia
30.- Canal de televisión
31.- Canal duplex
32.- Canal N
33.- Canal P
34.- Canal semidúplex
37.- Capa E
38.- Capa F
39.- Capacidad de almacenamiento
40.- Capacímetro
41.- Caracter
42.- Carga
43.- Carga elemental
44.- Carga espacial
45.- Carga inducida
46.- Carga lenta
47.- Carga rápida
48.- Carga residual
49.- Cargador
50.- Cargador USB
51.- Cargador de baterias
52.- Cargador de pilas recargables
53.- Cargador de pared
55.- Cargador inalámbrico
56.- Cargador portátil
57.- Cargador solar
59.- Cargador de carga inalámbrica rápida
60.- Cargador inteligente
61.- Carga resistiva
62.- Cascode
63.- Cassette
64.- Cátodo
65.- Cavidad
66.- CCD
67.- CCIR
68.- CCITT
69.- Célula fotoeléctrica
70.- Célula fotovoltaica
71.- Célula primaria
72.- Celular o móvil
73.- Célula solar
74.- Centro de banda
75.- Ciclo de trabajo
76.- Circuito abierto
78.- Circuito de colector común
80.- Circuito amplificador de fuente común
81.- Circuito amplificador de drenador común
82.- Circuito amplificador de compuerta común
83.- Circuito de retardo
84.- Circuito electrónico
85.- Circuito astable
87.- Circuito impreso PCB
88.- Circuito capacitivo
89.- Circuito inductivo
91.- Circuito Integrado de microondas MIC
92.- Circuito Integrado digital
93.- Circuito Integrado lineal
94.- Circuito resonante
95.- Circuito secundario
96.- Circuito sintonizado
97.- Circuito trifásico
98.- Circuito Cerrado de Televisión CCTV
99.- Circuito cerrado
100.- Circuito de lazo cerrado
Si tes gustó este sitio web puedes participar haciendo una donación voluntaria, la cual contribuirá a crecer como comunidad de Electrónicos.
o también puedes usar el código QR:
Recomendados: