Diccionario de Electrónica

¿Qué significa empuje lateral en electrónica?

El término empuje lateral en electrónica se refiere al efecto físico o mecánico que ocurre cuando una corriente eléctrica o un campo magnético genera una fuerza desplazando un componente, conductor o material hacia un lado. Este fenómeno es común en ciertos dispositivos semiconductores y en situaciones donde hay interacción entre campos eléctricos o magnéticos y estructuras físicas.

En el contexto de dispositivos electrónicos, el empuje lateral puede tener implicancias importantes tanto en el diseño como en el funcionamiento de circuitos, especialmente en tecnologías de microelectrónica y en sensores que detectan posición o movimiento.

A continuación se detallan algunos aspectos importantes del empuje lateral en electrónica:

  • Fenómeno en semiconductores: En ciertos transistores o componentes con estructura MOSFET, el empuje lateral puede ocurrir debido al flujo de electrones o huecos en direcciones no deseadas, afectando la precisión del dispositivo.
  • Desplazamiento físico: En actuadores o dispositivos MEMS (sistemas microelectromecánicos), un campo eléctrico puede inducir movimiento lateral, lo que se utiliza para medir fuerzas, presiones o aceleraciones.
  • Influencia en campos magnéticos: En motores eléctricos o generadores, las fuerzas magnéticas pueden generar empujes laterales en los componentes móviles, lo que debe ser considerado en el diseño mecánico para evitar desgaste o desalineación.
  • Impacto en el diseño: Los ingenieros electrónicos deben tener en cuenta el empuje lateral en aplicaciones donde el calor, la corriente o el magnetismo puedan alterar la estabilidad física de un componente.

En resumen, el empuje lateral es un fenómeno importante en electrónica que puede influir en el rendimiento, la precisión y la durabilidad de ciertos dispositivos. Su comprensión es esencial en campos como la microelectrónica, la robótica, la sensorización y el diseño de circuitos de alta precisión.

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65.- Ensamble

66.- Ensayo no destructivo

67.- en serie

68.- entrada / input

69.- Entrada/Salida, E/S, I/O

70.- Entrehierro

71.- Envolvente

72.- EPROM

73.- Equipos

74.- ERROR

75.- Escala

76.- Escalador

77.- Escintilación

78.- Escribir o grabar

79.- Espectro

80.- Espectro visible

81.- Espectrofotómetro

82.- Espectrómetro

83.- Estabilidad

84.- Estación experimental

85.- Estado

86.- Estado quiescente

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92.- Etapa

93.- Etapa de fi

94.- Etiqueta

95.- Excitador

96.- Expansor

97.- Exploración circular

98.- Exploración helicoidal

99.- Extensómetro

100.- Extractor

 

Diccionario electrónico

¿Qué es un Circuito amplificador de drenador común?

Un circuito amplificador de drenador común, también conocido como configuración de seguidor de drenador o Follower de drenador, es una configuración básica de amplificación que utiliza un transistor de efecto de campo de unión (JFET, por sus siglas en inglés) para amplificar una señal de entrada. Este tipo de circuito es especialmente útil cuando se necesita alta impedancia de entrada y baja impedancia de salida, y se utiliza para proporcionar una amplificación de voltaje cercana a la unidad mientras mantiene la inversión de fase.

A continuación, se detallan los componentes y el funcionamiento de un circuito amplificador de drenador común:

Componentes:

  1. Transistor JFET: El componente central del circuito es un transistor de efecto de campo de unión (JFET). Este tipo de transistor tiene tres terminales: la fuente (S), la puerta (G) y el drenador (D).

  2. Resistencia de carga (Rd): Esta resistencia está conectada entre la fuente y la alimentación de voltaje positivo (Vcc). Es la carga a la que se aplica la señal amplificada.

  3. Fuente de señal de entrada (Vin): La señal que se desea amplificar se aplica a través de una fuente de entrada.

  4. Resistencia de polarización de puerta (Rg): Esta resistencia limita la corriente que fluye hacia la puerta del JFET y establece un punto de polarización adecuado.

Funcionamiento: El circuito amplificador de drenador común utiliza la propiedad de control de voltaje de la puerta del JFET para amplificar la señal de entrada. Aquí está cómo funciona:

  1. Polarización inicial: La resistencia Rg está conectada entre la puerta del JFET y la fuente de voltaje negativo (Vee), lo que establece un punto de polarización adecuado para la puerta. Esto asegura que el JFET esté en la región activa y no esté completamente apagado ni completamente encendido.

  2. Señal de entrada: Cuando se aplica una señal de entrada (Vin) a través de la fuente de señal, el voltaje en la puerta del JFET varía. Esta variación de voltaje modula la corriente que fluye entre el drenador y la fuente del JFET.

  3. Amplificación: Dado que la resistencia de carga (Rd) está conectada entre la fuente y la alimentación de voltaje positivo (Vcc), la corriente modulada fluye a través de Rd. Debido a la Ley de Ohm, esta corriente a través de Rd crea una caída de voltaje amplificada, generando así la señal de salida amplificada.

  4. Seguidor de tensión: La configuración de drenador común garantiza que el voltaje en la fuente siga de cerca al voltaje en la puerta. Esto significa que la salida amplificada sigue la señal de entrada con una ganancia de voltaje cercana a la unidad, pero sin invertir la fase.

Ventajas:

  • Alta impedancia de entrada: Debido a la propiedad de alta impedancia de entrada del JFET, este circuito no carga significativamente la señal de entrada.
  • Baja impedancia de salida: La baja impedancia de salida del circuito lo hace capaz de manejar cargas de baja impedancia.

Limitaciones:

  • Ganancia limitada: La ganancia de voltaje es cercana a la unidad, por lo que este circuito no es adecuado para aplicaciones que requieran amplificación significativa.

En resumen, un circuito amplificador de drenador común basado en un JFET es una configuración que proporciona alta impedancia de entrada, baja impedancia de salida y una ganancia de voltaje cercana a la unidad. Es útil en aplicaciones donde se necesita una amplificación mínima y una alta fidelidad de señal.

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